Samsung telah mengumumkan bahwa generasi kedua dari chipset bermanufaktur 10nm miliknya siap untuk diproduksi. Tidak hanya itu, perusahaan tersebut turut meningkatkan kapasitas produksinya guna memastikan semua berjalan dengan lancar. Dikutip dari GSM Arena (21/4/2017), pada Snapdragon 835 dan Exynos 8895 yang juga dibangun diatas manufaktur 10nm, mereka menawarkan fitur Low Power Early (LPE). Sedangkan, pada generasi keduanya fitur tersebut akan berkembang menjadi Low Power Plus (LPP) dan juga peningkatan struktur 3D FinFET. Hasilnya adalah peningkatan performa sebanyak 10% atau pengurangan konsumsi daya sebanyak 15%. Hal ini juga menandakan chipset 10nm LPP akan menjadi penyegar diatas chipset yang kini menduduki posisi tertinggi di kubu Exynos dan Snapdragon. Samsung telah mulai memasang peralatan manufaktur baru untuk pembuatan produk tersebut, yang konon katanya terletak di Hwaseong, Korea. Jika pemasangan telah selesai, maka pabrik mereka akan mulai produksi pada kuartal terakhir di tahun ini. Contoh perubahan LPE dan LPP bisa dilihat pada Galaxy S6 dan Galaxy S7. Exynos 7420 (S6) dibangun diatas manufaktur 14nm LPE, sedangkan Exynos 8890 (S7) dikembangkan menjadi 14nm LPP. Perubahan tersebut pasti membawa hal yang baru walau tak banyak, seperti contohnya pada Snapdragon 820 dan 821, yang sama-sama dibangun diatas manufaktur 14nm LPP, akan tetapi pada seri terbarunya tersemat clock speed yang lebih tinggi.