Jakarta — Microchip Technology mengumumkan ketersediaan modul daya 3,3 kV HV-D3 mSiC® terbaru. Modul ini dirancang untuk menyederhanakan adopsi solid-state transformer (SST) di pusat data AI hyperscale.
Modul terbaru ini mengintegrasikan MOSFET mSiC® silikon karbida (SiC) 3,3 kV dan dioda Schottky dalam kemasan standar industri 62 mm. Teknologi ini memungkinkan penyaluran daya yang efisien langsung dari jaringan listrik tegangan menengah ke rak server.
Seiring pusat data AI terus berkembang, kemampuan token generation kini dibatasi oleh ketersediaan daya. Efisiensi menjadi faktor utama dalam menentukan return on investment bagi operator pusat data.
Arsitektur tradisional yang berbasis transformator berukuran besar dinilai menambah kompleksitas. Transformator frekuensi rendah juga meningkatkan kehilangan daya serta membatasi fleksibilitas sistem.
Solid-state transformer menghadirkan perubahan mendasar dalam distribusi daya. Teknologi ini mengurangi tahapan konversi dan memungkinkan efisiensi sistem yang lebih tinggi.
Pergeseran industri menuju distribusi rak DC bertegangan lebih tinggi semakin memperkuat nilai SST. Sistem ini dirancang untuk menyalurkan DC teregulasi langsung dari jaringan tegangan menengah.
Modul HV-D3 mSiC dari Microchip dirancang khusus untuk memenuhi kebutuhan tersebut. Modul ini menggunakan teknologi MOSFET mSiC yang menawarkan stabilitas RDS(on) sangat kompetitif pada berbagai suhu.
Kemasan modul mendukung isolasi 6 kV dengan material rating CTI 600. Jarak creepage yang diperpanjang juga mendukung koneksi seri secara aman untuk operasi tegangan tinggi.
Substrat silikon nitrida (Si₃N₄) memberikan konduktivitas termal yang lebih baik. Kemampuan power-cycling yang unggul membantu desainer mencapai densitas daya lebih tinggi.
“Seiring pusat data AI terus mendorong batas distribusi daya dari jaringan listrik ke GPU, kebutuhan terhadap solid-state transformer menjadi semakin penting,” ujar Clayton Pillion, Wakil Presiden High-Power Solutions Business Unit di Microchip Technology.
“Modul daya 3,3 kV HV-D3 mSiC kami memungkinkan desainer mengurangi jumlah perangkat yang terhubung secara seri hingga sekitar setengahnya. Perangkat ini juga menjawab kesenjangan utama di pasar industri untuk produk 100–300A,” tambah Pillion.
Modul daya HV-D3 mSiC tersedia dalam konfigurasi half-bridge dan common-source. Konfigurasi ini tersedia baik dengan maupun tanpa dioda Schottky anti-paralel untuk mendukung aplikasi pada rentang 100–300A.
Teknologi MOSFET mSiC menawarkan switching losses yang seimbang untuk berbagai topologi. Modul ini cocok digunakan untuk desain SST dan sistem tegangan tinggi berfrekuensi tinggi lainnya.
Selain untuk pusat data AI, modul ini juga mendukung infrastruktur pengisian daya megawatt untuk kendaraan berat. Aplikasi lain termasuk auxiliary power supply untuk kereta dan transportasi berat.
Microchip memiliki pengalaman lebih dari 20 tahun dalam pengembangan perangkat SiC. Perusahaan juga menawarkan portofolio luas untuk dioda SiC, MOSFET, dan gate driver.
Modul daya 3,3 kV ini didukung oleh catatan aplikasi dan panduan desain. Microchip juga menyediakan dukungan teknis global dan layanan desain untuk mempercepat proses pengembangan.
Modul daya mSiC 3,3 kV kini tersedia untuk pembelian dalam jumlah produksi. Pembelian dapat dilakukan langsung melalui Microchip atau distributor resmi di seluruh dunia.
Untuk informasi lebih lanjut, kunjungi situs web Microchip di www.microchip.com. Inovasi ini sejalan dengan tren peningkatan Performa itel SUPER 26 ULTRA dan Upgrade Otak iQOO 13 yang juga mengedepankan efisiensi.